广告
- 信息报价
-
大连回收三极管 场效应管回收，大连场效应管回收 回收闪迪内存FLASH、Toshiba东芝内存FLASH回收、intel英特尔CPU芯片回收、哪里电子回收、哪里回收电子物料、收购infineon英飞凌IC芯片、收购..11月05日 -
成都回收三极管场效应管回收 回收场效应管，收购贴片晶振，收购内存BGA，回收电脑DDR5内存条，收购EMMC内存芯片，WiFi芯片回收，回收微处理器，内存条回收，收购电感，回收手机排线，滤波器..11月05日
-
520.00元深圳市英佳联电子有限公司是一家实力雄厚的全球电子元器件库存处理商，针对全球电子贸易商，工厂电子元器件库存积压回收。长期回收您剩余的，生产线停产的、产品订单取消等问题而造成库存..02月16日
-
深圳恒立微电子科技有限公司，本公司以研发销售，MOS管（场效应管），硅胶制品等主要产品立足市场。 下单须知：由于电子元器产品价格浮动太大，展示价格不能作为实际成交价格，请于04月06日
-
-
0.10元PMOS 场效应管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原装。产品分类MOSFETs晶体管FET类型P沟道漏源电压(Vdss)20V导通电阻Rds On(Max)260mΩ栅极电荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作温度(Tj)-55°C~15..11月05日
-
场效应管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供应场效应管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封装：SOT23-6原装现货供应可提供样品测试和技术支持。如需更多了解更多型号及详细信息DEMO或者规格书欢迎..11月05日
-
面议MT3287---n沟道功率MOSFET MT3287/B在V =10V,I =40A时大R (on)=6.8m R (on)沟槽技术，可实现极低的to - 220lb - 3l TO-263-2L高功率和电流处理能力D R (on)和快速开关速度。该n沟道MOSFET专为..11月05日
-
面议MT3205---这款n沟道MOSFET采用MOS-TECH半导体的PowerTrench工艺生产，该工艺具有MT3205 特性大额定值(TA = 25，除非另有说明)D G S DC/DC转换器*HQHUDO' hvfulswlrq ' R'6 21 f D..11月05日
-
3.00元MT11G035B= 100V MOSFET技术，经过特优化，可提供的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗都小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。11月05日
-
2.00元MT30046S是n沟道功率MOSFET特性•类型Ros(.n)=10V,ID=30A•。极低Ros(on)和高p(p)的导电沟槽技术。MT30046S n沟道功率MOSFET特性•类型Ros (. n)=10V,ID =20A•。极低Ros(on)和高p (p)的导电沟槽..11月05日
-
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。晶体管检测项目外观质量、性能测试、功..11月05日
-
深圳市三佛科技有限公司供应20N06美浦森SLD20N06T原装 60V20A TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌：美浦森型号：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..11月05日
-
深圳市三佛科技有限公司供应60N02美浦森SLD60N02T原装60A 20V TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌：美浦森型号：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..11月05日
-
深圳市三佛科技有限公司供应80N06美浦森SLD80N06T原装60V 80A TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD80N06T 参数：60V 80A TO-252 N沟道MOS管品牌：美浦森型号： SLD80N06T电压：60V 电流：8..11月05日
-
深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管： 10N65 TO-220F 塑封封装，电流：10A ,电压：650V ,管装包装，小包装1K/盒，10N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..11月02日
-
深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管： 20N65 TO-220F 塑封封装，电流：20A ,电压：650V ,管装包装，小包装1K/盒，20N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..11月02日
-
2.00元MT11G035B是一款专为高频、低功耗应用设计的N沟道场效应晶体管。其核心参数包括但不限于大漏极电流（ID）、漏源击穿电压（VDS）、栅源阈值电压（VGS(th)）以及导通电阻（RDS(on)）等。这些参..10月16日
-
2.00元MT3205-N MOS管以其低内阻、高开关速度、低导通电阻和优良的稳定性而著称。它采用的半导体制造工艺，能够在高频率下保持低损耗，是电源管理、电机驱动、开关电源及高速信号切换等应用的理想选..10月16日
-
2.00元MT3287-N沟道场效应管，作为一种增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其核心优势在于其高电流承载能力、低导通电阻以及快速的开关速度。该器件采用的半导体制造工艺，确保了在高温..10月16日
黄页88网提供2024最新三极管场效应管价格行情，提供优质及时的三极管场效应管图片、多少钱等信息。批发市场价格表的产品报价来源于共9家三极管场效应管批发厂家/公司提供的25139条信息汇总。
友情链接
