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先进的引线键合技术不断被推向更⾼的⼏何(多层布线)能⼒(更细的间距、更长的线弧),从⽽导致封装和组装成本的增加。 纳米绝缘涂层 技术通过在当今的键合线上提供具有精确控制的介电特性的连..12月11日
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面议使用 X-Wire 的封装的⼀些⾼级引线键合功能。它与当前的半导体组装实践和设备完全兼容,同时提供卓越的 封装架构和组装性能。目前正在开发 X-Wire 的全部功能,以推动半导体封装⾏业发展的 IT..12月11日
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先进的引线键合技术不断被推向更⾼的⼏何(多层布线)能⼒(更细的间距、更长的线弧),从⽽导致封装和组装成本的增加。 纳米绝缘涂层 技术通过在当今的键合线上提供具有精确控制的介电特性的连..12月11日
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使用 X-Wire 的封装的⼀些⾼级引线键合功能。它与当前的半导体组装实践和设备完全兼容,同时提供卓越的 封装架构和组装性能。目前正在开发 X-Wire 的全部功能,以推动半导体封装⾏业发展的 IT..12月11日
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使用 X-Wire 的封装的⼀些⾼级引线键合功能。它与当前的半导体组装实践和设备完全兼容,同时提供卓越的 封装架构和组装性能。目前正在开发 X-Wire 的全部功能,以推动半导体封装⾏业发展的 IT..12月11日
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材料选择与性能 X-Wire™绝缘键合的考虑 线 以下是五个关键领域 考虑到一个绝缘的发展 接地线: (一)应用程序的考虑 (性能需求) 轴对称和球自由 空球(FAB)的形成和缝合 债券的可绑定性 通过涂层..12月11日
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第⼀焊点和第⼆焊点键合形态如图 1 所示,是可接受的⾏业标准的典型代表。 已经发现在键合操作之前、之中和之后涂层的附着⼒是非常强⼤的。尽管产⽣第⼆次键合所需的典型塑性变形,但在图 2 ..12月11日
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先进的引线键合技术不断被推向更⾼的⼏何(多层布线)能⼒(更细的间距、更长的线弧),从⽽导致封装和组装成本的增加。 纳米绝缘涂层 技术通过在当今的键合线上提供具有精确控制的介电特性的连..12月11日
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介绍 长期以来,人们一直在寻找绝缘焊丝 后用于高输入/输出(I/O)密度线粘合 应用程序和一些尝试 过去取得的成功有限[1-4]。基于 的现行国际技术路线图 半导体(ITRS)[5],预测 每台设备的引线..12月11日
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先进的引线键合技术不断被推向更⾼的⼏何(多层布线)能⼒(更细的间距、更长的线弧),从⽽导致封装和组装成本的增加。 纳米绝缘涂层 技术通过在当今的键合线上提供具有精确控制的介电特性的连..12月11日
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面议第⼀焊点和第⼆焊点键合形态如图 1 所示,是可接受的⾏业标准的典型代表。 已经发现在键合操作之前、之中和之后涂层的附着⼒是非常强⼤的。尽管产⽣第⼆次键合所需的典型塑性变形,但在图 2 ..12月11日
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介绍 长期以来,人们一直在寻找绝缘焊丝 后用于高输入/输出(I/O)密度线粘合 应用程序和一些尝试 过去取得的成功有限[1-4]。基于 的现行国际技术路线图 半导体(ITRS)[5],预测 每台设备的引线..12月11日
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第⼀焊点和第⼆焊点键合形态如图 1 所示,是可接受的⾏业标准的典型代表。 已经发现在键合操作之前、之中和之后涂层的附着⼒是非常强⼤的。尽管产⽣第⼆次键合所需的典型塑性变形,但在图 2 ..12月11日
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第⼀焊点和第⼆焊点键合形态如图 1 所示,是可接受的⾏业标准的典型代表。 已经发现在键合操作之前、之中和之后涂层的附着⼒是非常强⼤的。尽管产⽣第⼆次键合所需的典型塑性变形,但在图 2 ..12月11日
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使用 X-Wire 的封装的⼀些⾼级引线键合功能。它与当前的半导体组装实践和设备完全兼容,同时提供卓越的 封装架构和组装性能。目前正在开发 X-Wire 的全部功能,以推动半导体封装⾏业发展的 IT..12月11日
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面议键合可以透过涂层 • 良好线拉⼒ • 引线框和多层基板片理能⼒ • 支持 SSB线弧 MSL Level 3: Pre-Conditioning Condition: 30°C, 85 % RH, 192 hrs Biased HAST Condition: 130°C, 85 % RH, 4 V..12月11日
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