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深圳市骊微电子科技有限公司是一家专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司。公司自成立以来，一直本着提供专业及诚垦的态度为已任，以技术 服务为依托，市09月18日 -
1.00元N沟道场效应管回收价格表 深圳铭盛电子科技有限公司 铭盛电子大量高价收购个人和厂家积压或过剩库存的电子料，电子元器件 二三极管、内存、单片机、模块,显卡、网卡、芯片、显示屏01月17日
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FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A（Tc） 驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻..08月17日
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2N90 Datasheet 2A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 2N90 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide costumers with plana..01月17日
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0.10元PMOS 场效应管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原装。产品分类MOSFETs晶体管FET类型P沟道漏源电压(Vdss)20V导通电阻Rds On(Max)260mΩ栅极电荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作温度(Tj)-55°C~15..12月03日
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场效应管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供应场效应管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封装：SOT23-6原装现货供应可提供样品测试和技术支持。如需更多了解更多型号及详细信息DEMO或者规格书欢迎..12月03日
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晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。晶体管检测项目外观质量、性能测试、功..12月03日
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深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管： 20N65 TO-220F 塑封封装，电流：20A ,电压：650V ,管装包装，小包装1K/盒，20N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..12月02日
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深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管： 10N65 TO-220F 塑封封装，电流：10A ,电压：650V ,管装包装，小包装1K/盒，10N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..12月02日
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面议MT3205---这款n沟道MOSFET采用MOS-TECH半导体的PowerTrench工艺生产，该工艺具有MT3205 特性大额定值(TA = 25，除非另有说明)D G S DC/DC转换器*HQHUDO' hvfulswlrq ' R'6 21 f D..12月03日
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7000.00元2024-2030年中国场效应管行业深度调研与投资战略研究报告mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm【报告编号】 42246【出版机构】:中研嘉业研究网【交付方式】:EMIL电子版或特快专递【报告..12月03日
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深圳市三佛科技有限公司供应20N06美浦森SLD20N06T原装 60V20A TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌：美浦森型号：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..12月03日
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深圳市三佛科技有限公司供应60N02美浦森SLD60N02T原装60A 20V TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌：美浦森型号：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..12月03日
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深圳市三佛科技有限公司供应80N06美浦森SLD80N06T原装60V 80A TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD80N06T 参数：60V 80A TO-252 N沟道MOS管品牌：美浦森型号： SLD80N06T电压：60V 电流：8..12月03日
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2.00元MT30046S是n沟道功率MOSFET特性•类型Ros(.n)=10V,ID=30A•。极低Ros(on)和高p(p)的导电沟槽技术。MT30046S n沟道功率MOSFET特性•类型Ros (. n)=10V,ID =20A•。极低Ros(on)和高p (p)的导电沟槽..12月03日
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3.00元MT11G035B= 100V MOSFET技术，经过特优化，可提供的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗都小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。12月03日
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面议MT3287---n沟道功率MOSFET MT3287/B在V =10V,I =40A时大R (on)=6.8m R (on)沟槽技术，可实现极低的to - 220lb - 3l TO-263-2L高功率和电流处理能力D R (on)和快速开关速度。该n沟道MOSFET专为..12月03日
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2.00元MT6808D是一款基于半导体工艺制造的N沟道场效应晶体管（N-channel MOSFET），其设计旨在提供低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。这种场效应管适用于各种需要电流控制和电压调节的电路..11月27日
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2.00元MT3287-N沟道场效应管，作为一种增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其核心优势在于其高电流承载能力、低导通电阻以及快速的开关速度。该器件采用的半导体制造工艺，确保了在高温..11月25日
黄页88网提供2024最新IC场效应管价格行情，提供优质及时的IC场效应管图片、多少钱等信息。批发市场价格表的产品报价来源于共3家IC场效应管批发厂家/公司提供的210518条信息汇总。
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