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网带式快速烧结炉，是针对太阳能电池生产线开发的一种集烧结、烘干于一体的烧结炉。利用红外技术和炉膛材料，提高设备的热效率；采用的温度控制技术，温度控制的度。 技术指标： 网带宽..11月04日
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面议网带式快速烧结炉，是针对太阳能电池生产线开发的一种集烧结、烘干于一体的烧结炉。利用红外技术和炉膛材料，提高设备的热效率；采用的温度控制技术，温度控制的度。 技术指标： 网带宽度：2..11月04日
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面议满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。 CVD系统性能特点： 结构形式：1—4..11月04日
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面议网带式快速烧结炉，是针对太阳能电池生产线开发的一种集烧结、烘干于一体的烧结炉。利用红外技术和炉膛材料，提高设备的热效率；采用的温度控制技术，温度控制的度。 技术指标： 网带宽..10月31日
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高纯材料提纯设备主要满足高纯砷等新材料制造行业，对材料进行气氛保护下的烧结、升华、还原、精馏等工艺。 主要性能指标： 外型形式：卧式结构，水平炉管 工作温度：200℃—1100℃ 恒温区..10月31日
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面议氢气还原炉主要用于电力电子器件、热敏电阻、可控硅模块、陶瓷金属化等在氢气气氛保护下进行还原、退火、合金等工艺，也可以进行氧化工艺。 技术指标： 工作温度：200—1300 ℃ 加热元件：..10月31日
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面议满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积SiO2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。 CVD系统性能特点： 结构形式：1—4管..10月29日
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真空炉用于真空条件下集成电路、电力电子器件生产线对所生产产品进行烧结、合金、退火、焊接等工艺处理。具有控温精度高，降温速度快等特点。 真空炉技术指标： 石英管真空室：1—3室 真空..10月29日
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面议真空烧结炉主要用于电子器件、可控硅模块、热敏电阻、磁性材料、陶瓷金属化行业在真空环境下进行烧结、封装、退火、焊接等工艺。 真空炉技术指标： 真空室工位数：1-3位 真空度：1Pa，加..10月29日
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太阳能扩散炉主要满足光伏电池生产线对125mm×125mm、156mm×156mm多晶硅、单晶硅硅片进行扩散工艺。目前有第二代闭管扩散炉和第三代软着陆扩散炉。 技术指标： 可处理硅片尺寸：125mm×1..10月29日
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面议链式炉主要用于集成电路、电力电子器件，如桥式整流器、二极管、三极管等在氢气、氮气、或氢氮混合气体的保护下进行焊接、封装、烘干、还原、退火等。 主要技术指标： ◆工作温度：200℃—1100℃ ..10月29日
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面议氧化扩散炉性能特点： ◆具有可编程的升、降温功能 ◆采用滤波器、屏蔽板等装置，有效解决电网、磁场的干扰 ◆windows xp全中文视窗操作系统，可储存1000条曲线，每条曲线设置30步 ◆自动..10月29日
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