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580.00元斯米克HL204银焊条 HL204银焊片 15%银钎焊料山东孚尔特焊接材料有限公司，位于济南市天桥区，销售焊接材料，以销售特种焊接材料为主，产品广泛应用于冶金、石化、电厂、 锅炉、 钢构等众多领..02月22日 -
斯米克HL308银焊片 70%银焊片银焊条 HL307银焊片 HAG-18BSn 含银18% 是银、铜、锌、锡合金，熔化范围稍高，润湿性和填充性良好，经济。可焊接铜、铜合金、钢等材料。熔点770-810摄氏度。 H..02月19日
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180.00元本公司最新研制生产的非晶态无银带状钎料具有熔点低.强度高特性。抗拉强度高，导电率好，可替代高银钎料钎焊紫铜.黄铜.银铜等合金材料。适用于火焰，感应，电阻钎焊。在机电等行业可02月17日
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上海斯米克 HL315银焊片银焊条HL313/HL304银焊片BCu80Pag银焊条（HL204银焊条）(TS-15P银焊条) 主要化学成分：Ag:15±1,P:5±0.2,Cu:余量性能：钎焊温度704-816℃，钎焊接头的强度，塑性，导电性..02月17日
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飞机牌40%银焊片银焊条 HL322银焊片 72%银焊片BAg40CuZnSnNi银焊条(HL322银焊条) 主要化学成分：Ag:40±1,Cu:25±1,Sn:3±0.3,Ni:1.3-1.65,Zn:余量性能：钎焊温度640-740℃，是国产银焊料中熔点低..02月12日
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2750.00元1、银焊料包括(银焊条（环保银焊条，非环保银焊条），银焊丝（环保银焊条，非环保银焊条），银焊片，银焊环，银扁丝，银焊粉,银焊膏） 2、银基合金焊料特性说明：银焊料是一种以银或..10月25日
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2750.00元银基焊料的分类品种： 1、银焊料包括(银焊条（环保银焊条，非环保银焊条），银焊丝（环保银焊条，非环保银焊条），银焊片，银焊环，银扁丝，银焊粉,银焊膏） 2、银基合金焊料..10月25日
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锂锰扣式电池，负极是金属锂（Li），正极是由二氧化锰，导电炭等混合而成，具有电压高，放电性能稳定，比较适合应用于小电流命的电子类产品。可以根据客户的需求，进行设计和开发包括引线、端..06月25日
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我公司致力于纽扣电池生产制造，针对不同的客户行业推出了LED纽扣电池、高容量纽扣电池，耐高、低温纽扣电池等，以及加工类引线、焊脚、电池座。06月25日
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阻燃EVA防水板热熔焊片规格型号： 1.阻燃65mm热熔垫片。 2.防水70mm热熔焊片。 3.自粘EVA防水板热熔焊片。 序号 检测项目 单位 质检标准 1. 毛糙高度 mm 0.25 2. 拉伸断裂强度（纵向） ..02月22日
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大功率半导体器件的应用与挑战 移动、数据通信/电信、消费和汽车电子应用中设备的功能扩展和尺寸缩小，日益推动功率密度的增加，因而需要更有效地管理散热。界面导热材料的使用在板级和元器..02月22日
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导热硅胶 导热硅胶是单组分硅酮胶添加导热材料的复合物，其重点是具有良好的导热和粘接性，有效的填充散热器件和热源之间的空隙。在常温下，导热胶吸收空气中水份反应并固化，形成阻燃、耐压..02月22日
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厚膜技术是集电子材料、多层布线技术、表面微组装及平面集成技术于一体的微电子技术。在满足大部分电子封装和互连要求方面，厚膜技术已历史悠久。特别是在可靠小批量的军用、航空航天产品以及..02月22日
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大功率半导体器件的应用与挑战 移动、数据通信/电信、消费和汽车电子应用中设备的功能扩展和尺寸缩小，日益推动功率密度的增加，因而需要更有效地管理散热。界面导热材料的使用在板级和元器..02月22日
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销售各类电子材料,经营品牌:3M屏蔽胶带，3M导电胶，3M导电胶，3M防护用品，3M口罩，3M耳塞，,汉高电子胶，洛德EP-937,洛德SC-305,SC-309,SC-320,道康宁184，道康宁DC160 ,, , ，迈图YG6260，..02月22日
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导热填隙垫片贝格斯 BERGQUIST GAP PAD VOUS BERGQUIST GAP PAD HC 3.0 BERGQUIST GAP PAD HC 5.0 BERGQUIST GAP PAD 1450 BERGQUIST GAP PAD 1500 BERGQUIST GAP PAD 3500ULM BERGQUIST GAP ..02月22日
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1200.00元DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力 在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下，SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高，成为时下火爆的发展领域之一。终端应..02月22日
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1200.00元可实现高可靠、高导电的连接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模组制造商，在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银DTS技术，目前，客户存的最大痛点是键合时良率低，善仁新材推出的D..02月22日
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1200.00元众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远高于IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(39..02月22日
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1200.00元终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能的系统设计需求日益增强，与此同时，各国能效标准也不断演进，在此背景下，SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性，正在不..02月22日
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