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55.00元【意法智能窗帘】意法成品窗帘此款产品：采用激光雕花镂空工艺，精致美观，北欧风格、现代风格装修的空间，用最珍贵的麋鹿，装点最美好的家，一鹿平安，一生幸福。11月19日 -
1200.00元创意法锤雕塑价格-小品实景选定-法锤雕塑定制 它们展现了现代摆件现代风采，体现出现代现代摆件现代生活。门前现代现代现代摆件雕塑。现代雕塑如何固定。现代雕塑如何固定要理解玻璃钢现..02月01日
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STB15N80K5 N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装 这款超高压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高..02月02日
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STW70N65DM6 N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET，TO-247封装 这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比，DM6..02月02日
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主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32L151RCT6功能描述： 低功耗..02月02日
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主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030F4P6特性： STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性..02月02日
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STM32F103VBT6特性： 这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。 STM32F103xx中密度高性能系列包..02月02日
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VNH5200ASTR性能特性： 汽车认证 输出电流:8安 3 V CMOS兼容输入 欠压关闭 过压箝位 热关机 交叉传导保护 电流和功率限制 非常低的待机功耗 防止土地流失和VCC流失 电流检测输出与电机电流成..02月02日
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STM32F103VBT6特性： 这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。 STM32F103xx中密度高性能系列包..02月02日
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主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030F4P6特性： STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性..02月02日
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LD3985M28R与低ESR电容兼容的超低压降低噪声BiCMOS稳压器: LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。超低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统..02月02日
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主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030F4P6特性： STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性..02月02日
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STM32F105R8T6特性： 主流互连型ARM Cortex-M3微控制器，具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了高性能ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RI..02月02日
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