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超快恢复二极管（简称FRED）是一种高性能的半导体器件，用于高速开关和电源控制应用。这种二极管具有极短的恢复时间和低的反向恢复电荷，能够快速地转换成正向导通状态，同时也能够快速地从正..02月21日 -
当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从指定正向电流到指定反向电流所需的恢复时间）和Qrr（它代表指定正向电流到指定反向电流所需的恢复电荷，这两项指标是..02月21日
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注意事项: (1)有些单管，共三个引脚，中间的为空脚,一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 (2)若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 (3)测正向导通压降时,必须使用 Rx1档。若用 Rx1k档，因..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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注意事项: (1)有些单管，共三个引脚，中间的为空脚,一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 (2)若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 (3)测正向导通压降时,必须使用 Rx1档。若用 Rx1k档，因..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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超快恢复二极管（简称FRED）是一种高性能的半导体器件，用于高速开关和电源控制应用。这种二极管具有极短的恢复时间和低的反向恢复电荷，能够快速地转换成正向导通状态，同时也能够快速地从正..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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快恢复二极管，英文缩写为FRD，是一种具有快速恢复特性的二极管。相较于普通二极管，其反向恢复时间更短，能够适应高频和高效的工作环境。快恢复二极管的主要由两个PN结组成，同时加上定向的..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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超快恢复二极管（简称FRED）是一种高性能的半导体器件，用于高速开关和电源控制应用。这种二极管具有极短的恢复时间和低的反向恢复电荷，能够快速地转换成正向导通状态，同时也能够快速地从正..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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高压整流二极管就是将高压交流整流成为直流的器件，根据交流频率可以分为普通的低频整流桥和高频的快恢复二极管，目前市场上普通的整流桥分为单相和三相整流桥，最高电压以1600V为主，高频快..02月21日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月21日
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