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场效应管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供应场效应管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封装：SOT23-6原装现货供应可提供样品测试和技术支持。如需更多了解更多型号及详细信息DEMO或者规格书欢迎..12月12日 -
0.10元PMOS 场效应管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原装。产品分类MOSFETs晶体管FET类型P沟道漏源电压(Vdss)20V导通电阻Rds On(Max)260mΩ栅极电荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作温度(Tj)-55°C~15..12月12日
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3.00元MT11G035B= 100V MOSFET技术，经过特优化，可提供的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗都小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。12月11日
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面议MT3287---n沟道功率MOSFET MT3287/B在V =10V,I =40A时大R (on)=6.8m R (on)沟槽技术，可实现极低的to - 220lb - 3l TO-263-2L高功率和电流处理能力D R (on)和快速开关速度。该n沟道MOSFET专为..12月11日
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2.00元MT30046S是n沟道功率MOSFET特性•类型Ros(.n)=10V,ID=30A•。极低Ros(on)和高p(p)的导电沟槽技术。MT30046S n沟道功率MOSFET特性•类型Ros (. n)=10V,ID =20A•。极低Ros(on)和高p (p)的导电沟槽..12月11日
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面议MT3205---这款n沟道MOSFET采用MOS-TECH半导体的PowerTrench工艺生产，该工艺具有MT3205 特性大额定值(TA = 25，除非另有说明)D G S DC/DC转换器*HQHUDO' hvfulswlrq ' R'6 21 f D..12月12日
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2SK3568 产品种类: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技术: Si 封装 / 箱体: TO-220FP-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极..12月11日
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晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。晶体管检测项目外观质量、性能测试、功..12月11日
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7000.00元2024-2030年中国场效应管行业深度调研与投资战略研究报告mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm【报告编号】 42246【出版机构】:中研嘉业研究网【交付方式】:EMIL电子版或特快专递【报告..12月12日
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深圳市三佛科技有限公司供应20N06美浦森SLD20N06T原装 60V20A TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌：美浦森型号：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..12月12日
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深圳市三佛科技有限公司供应60N02美浦森SLD60N02T原装60A 20V TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌：美浦森型号：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..12月12日
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深圳市三佛科技有限公司供应80N06美浦森SLD80N06T原装60V 80A TO-252 MOS场效应管，原装，库存现货SLD80N06T 参数：60V 80A TO-252 N沟道MOS管品牌：美浦森型号： SLD80N06T电压：60V 电流：8..12月12日
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深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管： 20N65 TO-220F 塑封封装，电流：20A ,电压：650V ,管装包装，小包装1K/盒，20N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..12月07日
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深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管： 10N65 TO-220F 塑封封装，电流：10A ,电压：650V ,管装包装，小包装1K/盒，10N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..12月07日
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面议MT6808D是一款基于半导体工艺制造的N沟道场效应晶体管（N-channel MOSFET），其设计旨在提供低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。这种场效应管适用于各种需要电流控制和电压调节的电路..12月06日
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2.00元MT6808D是一款基于半导体工艺制造的N沟道场效应晶体管（N-channel MOSFET），其设计旨在提供低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。这种场效应管适用于各种需要电流控制和电压调节的电路..11月27日
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2.00元**低导通电阻**：MT3287/B采用的工艺设计，实现了极低的导通电阻，有效降低了电路中的能量损耗，提高了整体效率。 2. **高开关速度**：得益于其快速的开关响应能力，MT3287/B在高频应用中..11月25日
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2.00元MT3287-N沟道场效应管，作为一种增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其核心优势在于其高电流承载能力、低导通电阻以及快速的开关速度。该器件采用的半导体制造工艺，确保了在高温..11月25日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低内阻、高开关速度、低导通电阻和优良的稳定性而著称。它采用的半导体制造工艺，能够在高频率下保持低损耗，是电源管理、电机驱动、开关电源及高速信号切换等应用的理想选..11月25日
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2.00元MT11G035B是一款专为高频、低功耗应用设计的N沟道场效应晶体管。其核心参数包括但不限于大漏极电流（ID）、漏源击穿电压（VDS）、栅源阈值电压（VGS(th)）以及导通电阻（RDS(on)）等。这些参..11月25日
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