场效应管ir

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  • 正品保障IR/国际整流器IRFB7437TO-220场效应管MOS管品质高更耐用足量
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    08月31日
  • 供应场效应管CMOSNTGD4167CT1G安森美现货
    场效应管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供应场效应管CMOS, NTGD4167CT1G ,品牌:安森美封装:SOT23-6原装现货供应可提供样品测试和技术支持。如需更多了解更多型号及详细信息DEMO或者规格书欢迎..
    12月01日
  • PMOS场效应管NTA4151PT1G安森美原装
    PMOS 场效应管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原装。产品分类MOSFETs晶体管FET类型P沟道漏源电压(Vdss)20V导通电阻Rds On(Max)260mΩ栅极电荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作温度(Tj)-55°C~15..
    12月01日
  • 晶体管第三方检测机构,场效应管性能测试
    晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。晶体管检测项目外观质量、性能测试、功..
    11月30日
  • MT3287场效应管
    MT3287---n沟道功率MOSFET MT3287/B在V =10V,I =40A时大R (on)=6.8m R (on)沟槽技术,可实现极低的to - 220lb - 3l TO-263-2L高功率和电流处理能力D R (on)和快速开关速度。该n沟道MOSFET专为..
    11月30日
  • 20N06美浦森SLD20N06T原装60V20ATO-252MOS场效应管
    深圳市三佛科技有限公司供应20N06美浦森SLD20N06T原装 60V20A TO-252 MOS场效应管,原装,库存现货SLD20N06T : 60V 20A TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌:美浦森型号:SLD20N06TVDS: 60VIDS ..
    12月01日
  • 60N02美浦森SLD60N02T原装60A20VTO-252MOS场效应管
    深圳市三佛科技有限公司供应60N02美浦森SLD60N02T原装60A 20V TO-252 MOS场效应管,原装,库存现货SLD60N02T : 60A 20V TO-252 N沟道 MOS场效应管品牌:美浦森型号:SLD60N02TVDS: 20VIDS ..
    12月01日
  • 80N06美浦森SLD80N06T原装60V80ATO-252MOS场效应管
    深圳市三佛科技有限公司供应80N06美浦森SLD80N06T原装60V 80A TO-252 MOS场效应管,原装,库存现货SLD80N06T 参数:60V 80A TO-252 N沟道MOS管品牌:美浦森型号: SLD80N06T电压:60V 电流:8..
    12月01日
  • MT3205场效应管
    MT3205---这款n沟道MOSFET采用MOS-TECH半导体的PowerTrench工艺生产,该工艺具有MT3205 特性大额定值(TA = 25,除非另有说明)D G S DC/DC转换器*HQHUDO' hvfulswlrq ' R'6 21 f D..
    11月29日
  • MT30046S场效应管
    MT30046S是n沟道功率MOSFET特性•类型Ros(.n)=10V,ID=30A•。极低Ros(on)和高p(p)的导电沟槽技术。MT30046S n沟道功率MOSFET特性•类型Ros (. n)=10V,ID =20A•。极低Ros(on)和高p (p)的导电沟槽..
    11月29日
  • MT11G035B场效应管
    MT11G035B= 100V MOSFET技术,经过特优化,可提供的高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低,导通和开关功率损耗都小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件。
    11月29日
  • MT6808D-场效应管
    MT6808D是一款基于半导体工艺制造的N沟道场效应晶体管(N-channel MOSFET),其设计旨在提供低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。这种场效应管适用于各种需要电流控制和电压调节的电路..
    11月27日
  • MT11G035B-N沟道场效应管
    MT11G035B是一款专为高频、低功耗应用设计的N沟道场效应晶体管。其核心参数包括但不限于大漏极电流(ID)、漏源击穿电压(VDS)、栅源阈值电压(VGS(th))以及导通电阻(RDS(on))等。这些参..
    11月25日
  • MT3287/B场效应管
    **低导通电阻**:MT3287/B采用的工艺设计,实现了极低的导通电阻,有效降低了电路中的能量损耗,提高了整体效率。 2. **高开关速度**:得益于其快速的开关响应能力,MT3287/B在高频应用中..
    11月25日
  • MT3205-NMOS场效应管
    MT3205-N MOS管以其低内阻、高开关速度、低导通电阻和优良的稳定性而著称。它采用的半导体制造工艺,能够在高频率下保持低损耗,是电源管理、电机驱动、开关电源及高速信号切换等应用的理想选..
    11月25日
  • MT3287-N沟道场效应管
    MT3287-N沟道场效应管,作为一种增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其核心优势在于其高电流承载能力、低导通电阻以及快速的开关速度。该器件采用的半导体制造工艺,确保了在高温..
    11月25日
  • 10N65TO-220F场效应管工厂现货高压MOS管
    深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管: 10N65 TO-220F 塑封封装,电流:10A ,电压:650V ,管装包装,小包装1K/盒,10N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..
    11月25日
  • 高压MOS管20N65TO-220F场效应管工厂现货
    深圳市浩辉微电子生产场效应管 高低压MOS管: 20N65 TO-220F 塑封封装,电流:20A ,电压:650V ,管装包装,小包装1K/盒,20N65 TO-220 塑封的广泛用于各种小功率开关电源、L..
    11月25日
  • 供应P&N沟道场效应管
    供应P&N沟道场效应管,本产品全新原装,质量保证,价格优惠,欢迎订购。
    11月14日
  • 东芝代理供应全新原装场效应管2SK35682SK3569
    2SK3568 产品种类: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技术: Si 封装 / 箱体: TO-220FP-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极..
    08月26日
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