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适用性：很小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境。
早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20 毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。 到了80年代初，出现了GaAlAs的LED光源，使得红色LED的光效达到10流明/瓦。 90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在红、橙区（λp=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿色区域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。
：我们判断控制卡是不是好的，你先看下把电源打开，控制卡指示灯是否点亮，如果不亮看下检查是否有5V供电，显示屏是不是能显示内容，只要能显示内容，说明控制卡显示内容功能是好的；然后你用控制卡软件查找一下控制卡，如果能查找的到，说明控制卡的发送内容的功能良好，如果查找不到，你看下通讯线有没有接好，如果接好了，就可能是卡有问题了。只要这两功能良好，控制卡就是好的，否则就要更换控制卡。
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