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功率管发热
关于这个问题，也见到过有人在论坛发过贴。
功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。
要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。
对于前者，注意不要将负载电压设置的太高，虽然负载电压高，效率会高点。
对于后者，可以尝试以下几个方面：
a、将小电流设置的再小点；
b、布线干净点，特别是sense这个关键路径；
c、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感；
d、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，不过对于照明来说应该够了。
无论如何降频没有好处，只有坏处，所以一定要解决。

相同的驱动电路，用a生产的电感没有问题，用b生产的电感电流就变小了。
遇到这种情况，要看看电感电流波形。
有的工程师没有注意到这个现象，直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流，这样做可能会严重影响LED的使用寿命。
所以说，在设计前，合理的计算是的，如果理论计算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱和。
变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下，只能看着光衰了。

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