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A4950ELJTR-TA4950全桥DMOS结构PWM电机驱动SOP8

更新时间:2024-03-14 14:16:02 信息编号:442845c1ocd7c7
A4950ELJTR-TA4950全桥DMOS结构PWM电机驱动SOP8
501-9个
4010-99个
30≥ 100个
  • 50.00 元

  • 其它

  • 其它

  • 电机驱动,电动机短的保护,SOP8,A4950ELJTR-T

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详情介绍

A4950ELJTR-TA4950全桥DMOS结构PWM电机驱动SOP8

产品别名
A4950ELJTR-T,电机驱动,SOP8,同步整流
面向地区
品牌
其它
用途
其它
封装
SOP8
功率
30w
型号
SOIC
针脚数
8
A4950ELJTR-T特性和好处
  •低RDS()输出
  •过载保护((OCP)
  ▫电动机短的保护
  ▫运动导致短的接地保护
  ▫运动导致短电池保护
  •低功耗待机模式
  •可调脉宽调制电流限制
  •同步整流
  •内部欠压锁定(UVLO)
  •Crossover-current保护
  •A4950K AEC-Q100 1级合格
  •商业温度等级(A4950E: -40°C到85°C)
  •汽车温度等级(A4950K: -40°C到125°C)
 描述
  封装 SOP8为脉冲宽度调制(PWM)控制的直流
  汽车,A4950峰值输出电流3.5±的能力
  和操作电压40 V。
  输入终端提供用于控制和速度
  与外部应用PWM直流电机的方向控制
  信号。内部同步整流控制电路
  在PWM操作提供更低的功耗。
  内部电路保护包括过电流保护,
  电机导致短地面或供应、热关机
  磁滞、欠压监测VBB和crossovercurrent保护。
  高环境工作温度的应用程序,一个
  汽车级设备提供(A4950K)。K级
  设备是在扩展的温度和电压测试
  范围,以确保遵从性在汽车或工业
  应用程序。
  有四脚SOICN A4950中提供一个低调的包
  与接触热垫(后缀LJ)领导(Pb)免费的,
  的锡
 电特性有效温度范围在TJ = 25°C和E版K温度范围
  版本在TJ = -40°C到150°C, VBB = 8 - 40 V,除非另有说明
 设备操作
  A4950设计直流电机操作。输出驱动
  都是low-RDS(上),n沟道DMOS结构内部同步整流驱动程序功能来降低功耗。的
  电流输出全桥是监管与固定的停工时间
  脉冲宽度调制(PWM)控制电路。三机一体和IN2
  输入允许二线控制的桥梁。
  保护内部电路包括热关闭,防止短路负载,或反对输出短裤
  或供应。通过保持欠压锁定防止损害
  输出到司机有足够的电压正常运行。
  待机模式
  低功耗待机模式被激活,当输入(点)
  针低超过1毫秒。低功耗待机模式
  禁用的内部电路,包括电荷泵
  和监管机构。当A4950出来备用
  模式下,应该允许电荷泵达到监管
  电压(200年的大延迟
同步整流
  当一个PWM触发非周期的内部固定关井时间
  周期,负载电流将再通行。A4950同步整流特性取决于适当的期间DMOSFETs
  电流衰减,有效短裤的体二极管
  低RDS(上)驱动程序。这大大降低了功耗。
  当检测到零电流水平,同步整流
  关闭以防止负载电流的反转。
  混合衰减操作
  在混合衰减模式运营的桥梁。他指的是
  较低的面板如下图,达到跳变点,
  设备进入快速衰变模式固定的关井时间的50%
  时期。在这快腐烂部分设备切换到慢
  衰变模式的其余部分停工时间。在转换
  从快速衰减缓慢衰减,司机被迫的
  交叉延误,tCOD。这一特性被添加到防止shootthrough桥。在这个“死时间”部分,
 感觉销(LSS)
  为了使用PWM电流控制,低值电阻
  LSS销和地面之间放置用于电流传感。小化ground-trace红外感应输出下降
  当前水平,当前传感电阻应该有一个立的地面返回星地面点。该跟踪应该
  尽可能的短。低值电阻,红外下降
  PCB可以显著,应考虑。
  在选择检测电阻的值一定不要
  超过了大电压的LSS销±500 mV
  大负载。在过流事件,这种评级可能
  在短时间内超过。
  地面
  一颗星地面应位于尽可能接近A4950。
  铜地平面直接暴露在热垫
  设备的星地面点的位置。的
  接触垫可以连接到地面。
  布局
  PCB应该有厚的地平面。为优

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联系人 729839788</a>

深圳市石芯电子有限公司 7年

  • 集成电路,同步升压降压,电源ic,dc-dc
  • 广东深圳 福田

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