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功率管发热
关于这个问题，也见到过有人在论坛发过贴。
功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。
要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。
频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，要想想是不是频率选择的有点高。
想办法降低频率吧!不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。
相同的驱动电路，用a生产的电感没有问题，用b生产的电感电流就变小了。
遇到这种情况，要看看电感电流波形。
有的工程师没有注意到这个现象，直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流，这样做可能会严重影响LED的使用寿命。
所以说，在设计前，合理的计算是的，如果理论计算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱和。
变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下，只能看着光衰了。
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