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超大场景显示 显示条件：多张发射卡支持的任意幅度超宽、超大LED显示屏； 信号情况：多路DVI或者RGB、VGA、视频信号、HDSDI信号（选配）。 实现功能：选择其中一路在超大分辨率LED屏体上显示。根据用户的需求，可以采用不同的显示模式，具体为： A．满屏模式 输入的信号通过 LED图像拼接处理器，在整个LED屏体上满屏显示。 如果LED拼接的显示比例与输入信号的比例不一致时，画面将出现自动拉伸或者压缩等变形。该模式往往应用于背景影像内容的显示； B．等比模式 输入的信号通过 LED图像拼接处理器时，根据输入信号的比例格式，等比例在整个LED屏体上。画面等比显示时， LED屏体的上下或者左右会因为没有内容显示而曾现黑色。该模式往往应用于人像显示或者领导讲话的场景内容。 C．全屏等比模式 输入的信号通过LED图像拼接处理器时，根据输入信号的比例以及屏体的显示点阵分布情况，将输入的内容采用像素抓取技术，截取与LED屏体比例一致的显示，在整个LED屏体上放大显示。该模式应用于对现场情景需要展现的内容；

多路信号同步实时显示 显示条件：多张发射卡支持的任意幅度超宽、超大LED显示屏； 信号情况：多路DVI或者RGB、VGA、视频信号、HDSDI信号（选配）。 实现功能：选择其中多路在超大分辨率LED屏体上同时显示。

采用LED光源进行照明，取代耗电的白炽灯，然后逐步向整个照明市场进军，将会节约大量的电能。近期，白色LED已达到单颗用电超过1瓦，光输出 25流明，也增大了它的实用性。

改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿蓝橙多色发光。如小电流时为红色的LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，后为绿色。

早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20 毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在红、橙区（λp=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿色区域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。

初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用命，低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。

GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光 LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG 荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。

近几年,白光LED的研发成果：2008年9月Philips Lumileds与Osram Opto Semiconductors各发表了140.1 lm/W与136 lm/W且各产生138 lm与155 lm(lumen，流明)，他们均使用1mm大小的芯片并驱动于350mA下;美国LED大厂Cree公司宣布,其白光发光二极管实现每瓦161lm/W.可见,白光LED在高发光效率,高照明方面有着诱人的前景.