包头太阳能发电路灯

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电极型太阳能光伏电池以有机聚合物代替无机材料是刚刚兴起的一个太阳能光伏电池制造的研究方向。由于有机材料具有柔性好、制作容易、材料来源广泛、成本低等优势，从而对太阳能的大规模利用具有重要的实际意义。但以有机材料制备太阳能光伏电池的研究仅仅刚开始，不论是使用寿命，还是电池效率都不能与无机材料电池特别是硅电池相比，能否发展成为具有实用意义的产品，还有待于进一步的研究与。纳米晶体太阳能光伏电池，纳米Ti02晶体化学能太阳能光伏电池的优点在于成本低廉、工艺简单、性能，其光电效率在10%以上，制作成本仅为硅太阳能光伏电池的1/5~1/10，寿命可达20年以上。但由于此类电池的研究和刚刚起步，估计不久的将来会逐步走向市场。有机太阳能光伏电池，有机太阳能光伏电池，顾名思义，就是由有机材料构成核心部分的太阳能光伏电池，这种新型太阳能光伏电池所占市场份额还非常小。目前，在批量生产的光伏电池里，95%以上是硅基的，而剩下的不到5%也是由其他无机材料制成的。表3-1给出了主要太阳能光伏电池成本和性能比较。目前，晶硅电池是光伏电池的主品，市场占有率为80%左右，但其市场占有率会逐渐。薄膜电池是当前技术的，2009年，全球范围内的市场占有率已经达到19%,且发展势头迅猛。紧紧围绕光伏发电成本的各种研究工作一直在发达紧张地进行，其中以晶体硅材料为基础的电池和各种薄膜电池为基础研究工作的热点课题。单晶硅电池效率已达24.7%，多晶硅电池效率达到20.3%。

光伏照明还实现了太阳能大功率点跟踪技术。这样在充电中，不同的光照和温度条件下，充电电路能自动使光伏电池始终工作在大功率输出状态。阳能照明的组成该大的特点是采用250W高压钠灯作为电光源。卨压钠灯是第三代绿色照明节能光源，它具有发光、耗电少、寿命长以及透雾能力强等优点，是光伏照明实现功能性照明的光源，包括300WP光伏电池极，控制器中包括充电控制和高压钠灯供电电路。下面将分别介绍各组成部分的特性和配合：光伏电池~光伏电池是太阳能照明的输入，为整个提供照明和控制所需电能a在白天光照条件下，光伏电池将所接收的光能转换为电能，经充电图太阳能路灯照明电路对蓄电池充电；天黑后，光伏电池停止工作.输出呈端开路状态。蓄电池。作为太阳能照明的储能环节，白天蓄电池将光伏电池输出的电能转换为化学能储存起来.到夜间再转换回电能输出到照明负载。智能控制器的电源由蓄电池供给.照明灯具。250W髙压钠灯，需配合镇流器、启辉器工作。各部分容量的选取配合，需要综合考虑成本、效率和可靠性。光伏电池容量选取影响着整个的成本。相比较而言，蓄电池价格较为低廉.因此可以选取相对较大容量的蓄电池，尽可能充分利用光伏电池所发出的功率。另外，在与照明负载配合时，应该考虑到连续阴天的情况，对容量留出一定裕度。

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太阳能电池成本的主要原因之，一般非晶硅是通过溅镀或是化学气相沉积，在玻璃、陶瓷、塑料或不锈钢基板上所生成的一种薄膜。非晶硅的优点是它对光谱的吸光能力很强（比结晶硅强500倍），所以只需要薄薄的一层就可以把光子的能量有效地吸收。而非晶硅太阳能电池的结构通常为P-I-N形式，P层跟N层主要作为建立内部电场的目的，I层则由非晶硅构成。由于非晶硅具有高的光吸收能力，因此I层厚度通常只有0.2~0.5Mm。其吸光范围为1.1~1.7eV，这不同于结晶硅的l.leV，但由于结构均匀度低，因此电子与空穴在材料内部的传输中，易因距离过长而再结合概率。为避免此现象发生，I层不宜太厚，但也不能太薄，否则会造成吸光不足。为了克服这一，非晶硅太阳能电池可釆用多层结构堆栈设计，以兼顾吸光与光电效率。全球薄膜太阳能电池产业近几年快速发展，05年薄膜太阳能电池在全部太阳能电池产能中约占5%而已，但到2010年已增长到23%以上。以年产能而言，2009年约为1.7GW，而到了2010年已扩大到2.8GW,年增长幅度高达62%。但是，其中1.5GW的产能来自CdTe薄膜太阳能电池，非晶硅薄膜太阳能电池及其他薄膜太阳能电池合占1.3GW左右。非晶硅的原子结构与特性，非晶硅对太阳光的吸光效率比单晶硅好40倍以上。

单晶硅的基本光学性质，硅的特点，目前，全球所制造的所有半导体器件95%以上是由硅取得的.从材料的某些基本性质比较，硅并非的半导体材料，但它为什么如此受到重用.以致人们把我们现在所处时代称为"硅"时代，这主要是由于硅材料具有以下一系列实用化优势。资源丰富，且易于到极纯的纯度。硅是地球上仅次于氧.丰富度为第二的元素，目前，硅材料可以提纯到杂质原子浓度小于101'个cnv,是地球上纯的材枓。较易生长出大直径、无位错单晶，1998年已经生长出直径为400mm、无位错硅单晶，2000年又成功生长直径为400mm、长1100mm、重438kg的硅单晶和直径为450mm、重442kg的硅单晶。硅单晶也是地球上大、完整的单晶体。增大晶片直径使每片所得芯片数大幅度，从而单个芯片和1C的成本。易于对硅进行可控掺杂，可达到很宽的掺杂浓度范围。易于通过沉积工艺制备出单晶硅、多晶硅和非晶硅薄层材料.它们在1C中发挥各自的作用。易于进行腐蚀加工.包括湿化学腐浊或干腐浊。带隙大小适中，在一般使用条件下，不致因本征激发时影响器件性能。硅有相当好的力学性能，其硬度较高，为不锈钢的两倍:抗屈强度为钨的1.8倍.较易于进行机械加工，使大直径晶体可以切出较薄的晶片.也有相当好的加工性。硅本身是一种的绿色材料.没有毒性。可利用多种金属和掺杂条件在硅材料上制作低阻欧姆.从而所制器件的寄生电阻。

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