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年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银,如引线框架的选择性镀银,采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300~3000A/dm,镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40~75g/L,阳极采用白金或镀铂的钛阳极,这样在1s内即可镀上约4~5μm的银层,它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。
1913年,Frary报道二硫化碳与乙醚、各种酸、氰和亚硫酸的混合物可作为硫氰酸盐镀银的光亮剂,也发现黄原酸钾和砷、锑、锡的硫化物也是有效的光亮剂。后来发现硫脲也是一种镀银光亮剂。当其用量达35~40g/L时,其光亮度可超过二硫化碳衍生物。
银在大多空气中很快就变色(tarnishes),此变色为黑竭色的硫化物污迹(sulfide stain)不仅泵坏外观而且损失焊接性(soderability)。为了防止或阻延此变巴的形成,镀银需做镀后处理如再镀上层(overlays)金或铷(rhodium),镀化处理 (passivation treatments)包括铬酸盐处理(chromating)及涂装氧化镀(beryllium)、胶状物(colloidal) [1] 。
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