瑞昌氧化锆珠回收服务,回收锆珠

磁控溅射镀膜靶材：
金属锆溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材 ，氮化物陶瓷溅射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷溅射靶材 ，硅化物陶瓷溅射靶材 ，硫化物陶瓷溅射靶材 ，碲化物陶瓷溅射靶材 ，其他陶瓷靶材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化铟靶材(InP)，化铅靶材(PbAs)，化铟靶材(InAs)。
高纯高密度溅射靶材有：
溅射靶材（纯度：99.9%-99.999%）

各种类型的溅射薄膜材料，铪靶，锆靶在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。
市场概况
日本。就美国而言．约有50家中小规模的靶材制造商及经销商，其中大的公司员工大约有几百人。不过为了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服务，全球主要靶材制造商通常会在客户所在地设立分公司。近段时间，的一些国家和地区，如台湾．韩国和新加坡，就建立了越来越多制造薄膜元件或产品的工厂，如IC、液晶显示器及光碟制造厂。
对靶材厂商而言，这是相当重要的新兴市场。中国靶材产业发展也是与日俱增，不断的扩大自己的规模和生产技术，国内一线生产制造靶材的已经达到国外的技术水平。2010年，日本三菱公司就在中国台湾地区建立了光碟埘靶材的生产基地，可以满足台湾50%的靶材需要。

合金靶材
铁钴靶FeCo、铝硅靶AlSi、钛硅靶TiSi、铬硅靶CrSi、锌铝靶ZnAl、钛锌靶材TiZn、钛铝靶TiAl、钛锆靶TiZr、钛硅靶TiSi、钛镍靶TiNi、镍铬靶NiCr、镍铝靶NiAl、镍钒靶NiV、镍铁靶NiFe等。 [1]
锆靶，铪靶，锆管靶，锆板靶，钛板靶，钛板

金属锆靶材，金属铪靶，金属钛靶材
镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、铈靶、Ce、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。

磁控溅射靶材：锆靶，铪靶
磁控溅射靶材种类：
金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材，氮化物陶瓷溅射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷溅射靶材，硅化物陶瓷溅射靶材，硫化物陶瓷溅射靶材，碲化物陶瓷溅射靶材，其他陶瓷靶材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材（Cr-SiO），磷化铟靶材（InP），化铅靶材（PbAs），化铟靶材（InAs）。 [2]


磁控溅射原理：
在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶上加有一定的负高压，从靶极发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率，在阴极附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基片淀积成膜。磁控溅射一般分为二种：直流溅射和射频溅射，其中直流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。而射频溅射的使用范围更为广泛，除可溅射导电材料外，也可溅射非导电的材料，同时还可进行反应溅射制备氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射频的频率提高后就成为微波等离子体溅射，如今，常用的有电子回旋共振(ECR）型微波等离子体溅射。

我们曾在多种农药设备上进行过工业锆的应用研究，如在农药反应罐中进行了锆的实际应用与挂片试验。农药水解反应的条件为：20%硫酸+甲萘胺；温度220-250℃；15个大气压（1520kPa)，一个流程时间为7h，在此条件下设备腐蚀严重，1mm厚普通钢板，反应后即腐蚀穿孔。原采用罐内搪12- 14mm厚的铅层为防腐层，则易污染环境，铅的抗腐蚀也较差，一个搪铅反应罐，仅能使用50-60批料即穿孔漏液。锆挂片试验条件为：生产介质20%硫酸+甲萘胺；生产200-250℃；压力14-15个大气（1419- 1520kPa)。结果表明，随时间增加，锆母材与焊缝区氧含量稍有增加，但增加速度较缓，对锆的力学性能未引起恶化。而氢含量却在这种介质腐蚀中逐渐下降，可减少脆性，对锆有利，年腐蚀率仅为 0.024-0.04mm/a。