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镀银早始于1800年，个镀银的专利是1838年由英国伯明翰的Elkington兄弟提出的，所用的镀液为碱性氰化物镀液，与他们发明的碱性氰化物镀黄金体系很类似。一个多世纪以来，镀银液的基本配方和当年的配方差别不大，仅仅是提高了银配位离子浓度以达到快速镀银的目的而已。
年来快速发展起来的电子元器件的高速选择性镀银，如引线框架的选择性镀银，采用喷射镀的方法。所用的电流密度高达300～3000A/dm，镀液中氰化银钾[KAg(CN)2]的浓度 也高达40～75g/L，阳极采用白金或镀铂的钛阳极，这样在1s内即可镀上约4～5μm的银层，它已能满足硅芯片和银焊垫之间用铝线来键合(Bonding)。
用二硫化碳做光亮剂并不能得到全光亮的银层，且加入镀液后要等一段时间才会发生作用，估计真正的光亮剂是二硫化碳与镀液中的CN一反应生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他种硫化物中的某些化合物。
具有很好的导电性能，以及明亮而光泽的表面，而且银层具有很高的耐腐蚀性。正因为这些优点，镀银线成为高频线和有色纺织线的产品。
用化学方法在基体材料上制备的以银为主体的贵金属镀层。电子工业、仪器仪表制造业及无线电产品的零部件都广泛采用镀银以降低金属表面的接触电阻、提高金属的焊接能力。
镀金回收含金硅质电子废件处：电子工业产品和设备中废弃的含金硅质元件，由于硅的存在而妨碍回收其中的金。为了采用湿法工艺回收金，可先经硅腐蚀剂处理，使烧结在硅片上的金脱落分离，再收集起来送提纯。硅腐蚀剂分酸性的和碱性的。酸性硅腐蚀剂按硝酸：氢氟酸为1∶6～9配制，再稀释至2～3倍，于室温下浸泡除硅。碱性硅腐蚀剂使用10%～30%NaOH液，加热至80～100℃浸煮元件除硅。
